RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2488
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link