RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
65
Около -59% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
41
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
2621
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Crucial Technology M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link