RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9965596-029.B00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link