RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
37
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2438
3372
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link