RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
49
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
11.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
25600
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2620
2534
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link