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SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
比较
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
49
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
49
读取速度,GB/s
15.1
15.8
写入速度,GB/s
10.4
11.0
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2620
2534
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM的比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Lenovo 16GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
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