RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
23.7
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
23.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
4124
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link