RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Compara
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
23.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2657
4124
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link