RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
66
Rund um 45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2657
1699
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link