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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
比较
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
66
读取速度,GB/s
15.0
14.7
写入速度,GB/s
10.1
7.3
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2657
1699
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
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