RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
54
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
13.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2511
2987
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link