RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
48
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1955
2524
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link