RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.4
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1718
3317
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link