RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
85
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
1118
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link