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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
比较
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
总分
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
85
左右 40% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
85
读取速度,GB/s
9.8
11.3
写入速度,GB/s
8.2
6.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2182
1118
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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