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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
8.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
11.9
8.6
写入速度,GB/s
8.1
7.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2094
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB RAM的比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
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