RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
2173
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology C 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link