RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2182
2173
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link