RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
41
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2808
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link