RAM-Vergleich Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Gesamtnote

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 31

Rund um 19% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.7 16.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.5 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 12800

Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2764 3598

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns