RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3598
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link