RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
96
Wokół strony -167% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2474
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link