RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
25.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
19.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
4167
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link