RAM-Vergleich Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Gesamtnote

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.5 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 10.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 17000

Rund um 1.51% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 38

Rund um -36% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2283 2179

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns