RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2179
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link