RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3007
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link