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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
41
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
22
读取速度,GB/s
11.6
17.2
写入速度,GB/s
7.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3007
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
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