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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
13.7
16.1
写入速度,GB/s
8.3
9.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2591
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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