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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

总分
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

总分
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

差异 规格 评论

差异

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB 需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 9.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
    左右 1.11% 更高的带宽
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 27
    左右 -17% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    16.7 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2756 left arrow 2591

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较

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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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内存RAM
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Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
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