RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2591
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair VS2GB1333D3 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link