Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Wynik ogólny

Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB

Wynik ogólny

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB

Powody do rozważenia
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

7.5 6.7

Średnia wartość w badaniach

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Powody do rozważenia
Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

24 27

Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.3 11.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

27 24
Prędkość odczytu, GB/s

11.1 14.3
Prędkość zapisu, GB/s

7.5 6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 19200

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2180 2101

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Kingston 9905622-057.A00G 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB