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Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
比较
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB vs Kingston 9905678-110.A00G 8GB
总分
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
总分
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.1
14.3
写入速度,GB/s
7.5
6.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
2101
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
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