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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
3,231.0
13.8
写入速度,GB/s
1,447.3
8.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2415
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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