RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3711
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link