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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.6
18.0
写入速度,GB/s
7.3
15.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3711
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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