RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
41
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2336
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link