RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1438
2336
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R748G2400S2S 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link