RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
10600
Rund um 2.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
23400
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
3419
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link