RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
41
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2910
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link