RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
41
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2910
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link