RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
41
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1438
2879
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link