RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
56
Rund um 23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1314
2200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link