RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
56
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
56
Prędkość odczytu, GB/s
10.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1314
2200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link