RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
40
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
2117
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link