RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.9
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
40
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
2117
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link