RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
1763
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339J.M8F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link