RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
38
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
6.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
19.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
4215
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link