RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
77
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1406
1440
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link