RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um -11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
39
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1775
2654
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Jinyu 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link