RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
43
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1706
3306
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link